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華中科技大學(xué)2025年04月至11月政府采購(gòu)意向公開(kāi)
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為便****政府采購(gòu)信息，根據(jù)《****政府采購(gòu)意向公開(kāi)工作的通知》（財(cái)庫(kù)〔2020〕10號(hào)）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將****2025年04月至11月政府采購(gòu)意向公開(kāi)如下：
| 序號(hào) | 采購(gòu)項(xiàng)目名稱(chēng) | 意向編號(hào) | 采購(gòu)品目 | 采購(gòu)需求概況 | 預(yù)算金額(萬(wàn)元) | 預(yù)計(jì)采購(gòu)日期 | 備注 |
| 1 | 濕法刻蝕機(jī) | **** | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：2臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. 可依據(jù)需求定制酸槽和管路數(shù)量； 2. 可根據(jù)工藝需求，匹配超（兆）聲、抖動(dòng)、旋轉(zhuǎn)、溢流循環(huán)噴淋等多種功能 | 220 | 2025年07月 | |
| 2 | 原子層沉積 | YX****00035 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.兼容8inch及以下晶圓，配備3路液源、4路熱源（完全獨(dú)立），及臭氧發(fā)生器，極限真空＜1.5×10-2 Torr，膜厚均勻性≥99% | 450 | 2025年04月 | |
| 3 | 電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 | YX****00036 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. 基板尺寸：6寸 行星轉(zhuǎn)-24 片，公轉(zhuǎn)-11 片（lift off 工藝）8寸 行星轉(zhuǎn)-15 片，公轉(zhuǎn)-7 片（lift off 工藝），基板加熱最高溫度350度，電子束蒸發(fā)源功率10KW，真空極限壓力：3.0 ×10-5(Pa) 或更低。 | 860 | 2025年07月 | |
| 4 | 等離子體輔助化學(xué)氣相沉積儀（PECVD） | YX****00037 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. 6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉積工藝 | 280 | 2025年07月 | |
| 5 | 濺射臺(tái) | YX****00038 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. 基材尺寸可達(dá)Φ200mm。 2. 處理室最多可配備5個(gè)處理室。 3. 可用于各種特定于應(yīng)用的過(guò)程模塊。 4. 基板加熱機(jī)制、同步沉積和旋轉(zhuǎn)沉積 | 2200 | 2025年04月 | |
| 6 | 減薄機(jī) | YX****00039 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.兼容4-8寸 可加工晶圓厚度100um-2400um | 400 | 2025年07月 | |
| 7 | 化學(xué)機(jī)械研磨 | YX****00040 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. 兼容4-8英寸，8英寸為主 2. 90nm以上 | 1100 | 2025年07月 | |
| 8 | HF氣相刻蝕機(jī) | YX****00041 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. 兼容200和300mm晶圓 2. 批量大小可達(dá) 10 片晶圓 | 480 | 2025年04月 | |
| 9 | 反應(yīng)離子刻蝕機(jī) | YX****00042 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、真空室尺寸：Φ300mm×H300mm 2、樣片大小及數(shù)量：φ6英寸樣片1片或散片多片 3、刻蝕室極限真空度：≤2×10-4Pa | 220 | 2025年07月 | |
| 10 | 金屬刻蝕機(jī) | YX****00043 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、基片尺寸：8英寸，可選8/6/4英寸電極，適用于不同尺寸的晶圓 2、RF-ICP離子源，刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1.0% 3、樣品臺(tái)可偏轉(zhuǎn)（tilt），偏轉(zhuǎn)范圍：0°到+160°，實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射 4、工藝過(guò)程中，樣品臺(tái)可自轉(zhuǎn) 5、提供單腔式和多腔式等多種腔室搭配方式 | 600 | 2025年07月 | |
| 11 | Trench深硅刻蝕機(jī) | YX****00044 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、硅片尺寸：8英寸及向下兼容； 2、刻蝕速度為10um/min，最大選擇比為94：1 3、刻蝕均勻性±3% 4、陡直度：90±1 5、scallop ：100nm | 1170 | 2025年07月 | |
| 12 | RCA清洗機(jī) | YX****00045 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、6~12寸晶圓片清洗 2、25/50pcs/批 3、LOAD→SPM→QDR→DHF→QDR→SC1→ | 680 | 2025年07月 | |
| 13 | 雙面曝光機(jī) | YX****00046 | A032103電子工業(yè)專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、晶圓尺寸：1" to 200 mm 2、接觸類(lèi)型：soft, hard, vacuum 3、接近式曝光的間隙： 1–300 μm 4、間隙設(shè)置精度： 1 μm 5、分辨率：UV300 < 0.7 μm 6、頂部對(duì)準(zhǔn)精度 (TSA accuracy)： < 0.5 μm 7、底部對(duì)準(zhǔn)精度 (BSA accuracy)： < 1.0 μm | 380 | 2025年04月 | |
| 14 | I線涂膠顯影機(jī) | YX****00047 | A032103電子工業(yè)專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、基片尺寸：ψ50mm～ψ200mm 2、Cassette 晶舟：2-4個(gè)晶舟 3、Coater Unit 涂膠單元: (1)PR類(lèi)型：正膠/ 負(fù)膠 ；(2)光刻膠噴頭 2 ~ 4 個(gè)； (3)EBR ( Edge Bead Remover )；(4)馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度 Max. 6,000rpm；(5)高精度定量泵浦≦0.1cc ( 100cp以下) 4、Robot Arm 機(jī)械手臂:3軸; X1, X2, X3 5、Hot Plate熱盤(pán)單元:溫度50℃-180℃ 6、Cooling Plate冷盤(pán)單元:溫度18-28℃ 7、機(jī)臺(tái)尺寸:D(1200+2410)× W1700 × H2300 (mm) 8、顯影機(jī)基片尺寸 ψ50mm～ψ300mm 9、Developer 顯影單元 (1)可應(yīng)用噴頭 Spray, Stream, E2 , H ；(2)馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度 Max. 5,000rpm | 445 | 2025年07月 | |
| 15 | 噴膠機(jī) | YX****00048 | A032103電子工業(yè)專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、基片尺寸:ψ50mm～ψ200mm 2、Cassette 晶舟:2-4個(gè)晶舟 3、Coater Unit 涂膠單元 (1)PR類(lèi)型：正膠/ 負(fù)膠 ；(2)光刻膠噴頭 2 ~ 4 個(gè)； (3)EBR ( Edge Bead Remover )；(4)馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度 Max. 6,000rpm； (5)高精度定量泵浦≦0.1cc ( 100cp以下) 4、Robot Arm 機(jī)械手臂:3軸; X1, X2, X3 5、Hot Plate熱盤(pán)單元:溫度50℃-180℃ 6、Cooling Plate冷盤(pán)單元:溫度18-28℃ 7、涂布機(jī)臺(tái)尺寸:D1400× W1500 × H2300 (mm) | 330 | 2025年07月 | |
| 16 | 激光隱切劃片機(jī) | YX****00049 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.激光種類(lèi)：半導(dǎo)體泵浦激光器；激光功率≥8-100W ； 2.冷卻方式：封閉式循環(huán)水冷； 3.掃描速度：3000mm/s； 4.劃片尺寸：8寸； 5.激光加工效果＜20um（崩邊 熱效應(yīng)）； 6.切割道寬度≧30um。 | 300 | 2025年07月 | |
| 17 | 磁控濺射鍍膜設(shè)備 | YX****00050 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1. Degas加熱均勻性150+/-10℃； 2. PCII刻蝕SiO2約150/min，片內(nèi)與片間均勻性在5%以?xún)?nèi)； 3. TiN片內(nèi)與片間電阻均勻性在5%以?xún)?nèi)；Al片內(nèi)與片間電阻均勻性在5%以?xún)?nèi)。 | 1600 | 2025年07月 | |
| 18 | 立式低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD） | YX****00051 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、可裝載晶圓尺寸：8英寸，可向下兼容； 2、4爐管，具備常壓熱氧、氮化硅（含低應(yīng)力），多晶硅（含原位摻雜），TEOS氧化硅沉積工藝，每管處理晶圓數(shù)量：25片（不含配片）； | 750 | 2025年04月 | |
| 19 | Scrubber尾氣處理系統(tǒng) | YX****00052 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.處理容量：600LPM； 2.處理氣體種類(lèi)有：CHF3、SF6、DCS、NF3、NH3、CH2F2、CH4、SIH4、H2、N2、CF4、N2O等； B、干式吸附尾氣處理設(shè)備-4臺(tái)： 1.吸附劑容量：100L； 2.處理氣體種類(lèi)有CL2、HBR、F2/KR/NE等； C、加熱水洗式尾氣處理設(shè)備-14臺(tái)： 1.處理量≥600slpm； 2.不需要接工藝?yán)鋮s水冷卻，全自動(dòng)控制，配置循環(huán)水泵，重力排水。 | 450 | 2025年11月 | |
| 20 | 特殊氣體供氣系統(tǒng) | YX****00053 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 特氣供氣系統(tǒng)： A、全自動(dòng)氣柜GC-18臺(tái) 1.PLC全自動(dòng)控制（自動(dòng)切換、自動(dòng)吹掃、抽真空等） 2.雙鋼瓶，含鋼瓶接頭 3.1/4“盤(pán)面，配置吹掃，電子秤 B、全自動(dòng)氣架GR-12臺(tái) 1.PLC全自動(dòng)控制（自動(dòng)切換、自動(dòng)吹掃、抽真空等） 2.雙鋼瓶，含鋼瓶接頭 3.1/4“盤(pán)面，配置吹掃，電子秤 C、閥門(mén)分配箱VMB-30臺(tái) 1. 半自動(dòng)控制 2. 主管：手動(dòng)閥+PT+擴(kuò)充閥 3. 支路：手動(dòng)閥+調(diào)壓閥+PG+氣動(dòng)閥 4.一進(jìn)四出,3/8"進(jìn)x1/4"出 D、閥門(mén)分配面板VMP-15臺(tái) 1. 手動(dòng)控制 2. 主管：手動(dòng)閥+PG+擴(kuò)充閥 3. 支路：手動(dòng)閥+調(diào)壓閥+PG+手動(dòng)閥 4.一進(jìn)四出,3/8"進(jìn)x1/4"出 E、氣體泄漏偵測(cè)偵系統(tǒng) 電化學(xué)式偵測(cè)器-200顆 1.電化學(xué)原理 2.泵吸工作方式 F、氣體Vent處理器 G、等離子水洗尾氣處理設(shè)備-2臺(tái)： 1.處理容量：600LPM； 2.處理氣體種類(lèi)有：CHF3、SF6、DCS、NF3、NH3、CH2F2、CH4、SIH4、N2、CF4、N2O等； H、干式吸附尾氣處理設(shè)備-2臺(tái)： 1.吸附劑容量：100L； 2.處理氣體種類(lèi)：CL2、HBR、F2/KR/NE等； I、加熱水洗式尾氣處理設(shè)備-2臺(tái)： 1.處理量≥600slpm； 2.不需要接工藝?yán)鋮s水冷卻，全自動(dòng)控制，配置循環(huán)水泵，重力排水。 | 1800 | 2025年11月 | |
| 21 | PM CLEAN PM 清洗系統(tǒng) | YX****00054 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 PM清洗系統(tǒng)： 半自動(dòng)部件濕式清洗機(jī)-2臺(tái) 1.PLC 控制（槽體液位控制、清洗參數(shù)控制、安全報(bào)警） 2.機(jī)臺(tái)架構(gòu)為不銹鋼 3.非酸性藥液，槽體為不銹鋼，酸性藥液依藥液而定 4.超聲波、藥液加熱、N2 bubble 依清洗部件雵求而定 | 380 | 2025年11月 | |
| 22 | 顯微多普勒激光測(cè)振儀 | YX****00055 | A****0302光學(xué)計(jì)量?jī)x器 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.基于激光多普勒原理，實(shí)時(shí)顯示面外振動(dòng)特性，位移分辨率達(dá)亞 pm，最大頻率達(dá) 25MHz，最大振動(dòng)速度 10m/s?？蓪?shí)現(xiàn)二維面掃，振 型可視化。 2.基于頻閃法測(cè)量面內(nèi)振動(dòng)，位移分辨率 5 nm，最大頻率 2.5MHz， 最大振動(dòng)速度為 10 m/s 3.配備常用信號(hào)源、示波器、阻抗分析儀等作為測(cè)試支持 | 350 | 2025年04月 | |
| 23 | 氧化物單層沉積系統(tǒng) | YX****00056 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.晶圓尺寸:8/12英寸,可定制 2.工藝類(lèi)型:PE、Thermal 3. 裝片能力:1片/腔，最大可定制10腔 4.工藝溫度:RT~500°C，可定制 5. 前驅(qū)源管路:單腔最大6路獨(dú)立管路,可定制 6. 適用工藝: AlO、HfO、AIN、TiIN、SiN、Ru、Co等氧化物、氮化物及金屬 7. 應(yīng)用領(lǐng)域:先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)等晶圓制造領(lǐng)域 | 260 | 2025年07月 | |
| 24 | 激光掩膜直寫(xiě)系統(tǒng) | YX****00057 | A****0300電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、最大曝光面積:200x200平方毫米 2、最大基板尺寸:g“xg多種寫(xiě)入模式 3、最小特征尺寸:可達(dá)300 nm 4、最大寫(xiě)入速度(在4um特征尺寸時(shí)):2000mm2/min 5、地址網(wǎng)格低至5nm高達(dá)1000個(gè)灰度級(jí)的灰度暖光模式矢量和光柵掃描曝光模式多種數(shù)據(jù)輸入格式 6、前后對(duì)齊 7、氣候室 8、兩種激光波長(zhǎng)選擇(405 nm或375 nm)實(shí)時(shí)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng) | 850 | 2025年04月 | |
| 25 | 中束流注入機(jī) | YX****00058 | A****2402真空應(yīng)用設(shè)備 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1、兼容8inch及以下晶圓及不規(guī)則小片； 2、注入能量5-300keV，注入劑量5E11~1E17/cm2可控，注入角度0°-45°自動(dòng)可調(diào)，最高注入溫度550 ℃，6寸注入均勻性?xún)?yōu)于1% | 2000 | 2025年07月 | |
| 26 | 傅里葉變換紅外顯微鏡 | YX****00059 | A****0301顯微鏡 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.具備三個(gè)以上輸入/輸出光路接口，計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)換； 2. 全自動(dòng)硅片分析系統(tǒng)：可根據(jù)需要設(shè)計(jì)測(cè)試點(diǎn)，系統(tǒng)將自動(dòng)完成最大12寸晶圓片中的氧碳含量和外延層厚度測(cè)試； 3. 絕度透射附件：將樣品倉(cāng)出射的聚焦光轉(zhuǎn)化為平行光進(jìn)行透過(guò)率測(cè)量，并具有光闌阻擋反射光二次進(jìn)入光路； 4. 光譜范圍：28000-15cm-1,分辨率優(yōu)于0.085cm-1； 5. 波數(shù)準(zhǔn)確度優(yōu)于0.01cm-1@1554cm-1，波數(shù)精度優(yōu)于0.0005cm-1@1554cm-1（10次重復(fù)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)差）； 6. 透光率精度：優(yōu)于0.1%T； 7. 信噪比：高于60000:1（峰-峰值，1分鐘測(cè)量，分辨率4cm-1） 8. 干涉儀：邁克爾遜干涉儀，30度入射角，有效防止偏振效應(yīng)； 9. 光源：**命、高能量中/遠(yuǎn)紅外光源。 | 110 | 2025年04月 | |
| 27 | 全真空型傅里葉變換紅外光譜儀 | YX****00060 | A****0304光學(xué)測(cè)試儀器 | 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)間不小于一周，驗(yàn)收完成以后保修期3年。 1.測(cè)試范圍10-10000 cm-1；光譜分辨率0.5-4 cm-1；溫度范圍4-800 K | 140 | 2025年04月 |
本次公開(kāi)的****政府采購(gòu)工作的初步安排，具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。
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