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A033499其他專用儀器儀表

擬采購1臺高真空電子束蒸鍍工藝腔，用于項目中的器件制備。主要指標(biāo)：電極蒸鍍，極限真空度優(yōu)于 3 × 10-7 Torr，4 英寸范圍內(nèi)薄膜厚度均勻性優(yōu)于± 5%。本項目中開展的工作主要是在二維體系上構(gòu)筑不同的器件結(jié)構(gòu)，例如超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)和干涉儀等器件，研究其非阿貝爾統(tǒng)計性質(zhì)。購買這套設(shè)備主要用來實現(xiàn)以下功能： （1）由于我們主要研究的是器件的電學(xué)輸運特性，需要通過微加工手段在樣品上制備電極結(jié)構(gòu)，并沉積金屬實現(xiàn)好的歐姆接觸。所以，我們擬采購1臺電子束鍍膜設(shè)備，專門進(jìn)行金屬電極的制備。此設(shè)備作為高真空電子束蒸鍍工藝腔（極限真空度優(yōu)于 3 × 10-7 Torr），可以用來沉積鈦（Ti）、金（Au）、鈀（Pd）等金屬，滿足實驗需求。 （2）本項目開展的在GaAs/AlGaAs二維電子氣上制備干涉器的研究，核心器件是三對頂門結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)載流子的調(diào)控。實驗上主要通過微納加工手段制備頂門結(jié)構(gòu)并進(jìn)行金屬沉積，此設(shè)備提供的金屬源可以滿足頂門的制備工藝，從而實現(xiàn)調(diào)控的目的。 另外，此設(shè)備通過優(yōu)化樣品臺與蒸發(fā)源的距離等技術(shù)，更有利于解決在電極和頂門制備中的金屬膜的剝離（liftoff）問題，實現(xiàn)更為精細(xì)的器件結(jié)構(gòu)。并且此設(shè)備具有預(yù)真空腔，可以更高效地開展研究。